宽禁带半导体氧化镓——结构、制备与性能 陶绪堂 等 编 下载 网盘 kindle mobi 115盘 pdf pdb rtf

氧化镓作为新型的宽禁带半导体材料，在高压功率器件、深紫外光电器件、高亮度LED等方面具有重要的应用前景。本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了较全面的介绍，重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、薄膜外延方面的研究成果；系统阐述了获得高质量体块单晶及薄膜的思路和方法，并对氧化镓的发展进行了综述和展望。

本书可作为宽禁带半导体材料与器件相关的半导体、材料、化学、微电子等专业研究人员及理工科高校教师、研究生、高年级本科生的参考书或工具书，也可供其他对宽禁带半导体材料氧化镓感兴趣的人员参考。

第1章氧化镓简介

1.1引言

1.2氧化镓品体的基本性质

1.2.1结构性质

1.2.2光学性质

1.2.3电学性质

1.2.4热学性质

1.3总结与展望

参考文献

第2章氧化镓体块单晶生长

2.1氧化镓单晶提拉法生长

2.1.1提拉法简介

2.1.2提拉法生长氧化物晶体

2.1.3提拉法氧化镓单晶生长探索及进展

2.1.4提拉法晶体生长中的螺旋生长现象

2.2氧化镓单晶导模法生长

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